报告题目：《Electric induced magnetization switching in all oxide structure and single metallic layer》

报告时间：2020年7月15日10:00

报告地点：实验楼725室，腾讯会议直播

会议ID号：896 554 444

报告人简介：

陈景升教授，新加坡国立大学材料科学工程系。1999年至2001年在新加坡南洋理工大学电子电器工程学院做博士后工作；2001年至2007年任新加坡国家数据存储研究院主任工程师，四级科学家；2007年至今，在新加坡国立大学材料科学工程系工作。

陈教授主要从事自旋电子学、电子强关联氧化物多铁材料、信息存储材料与器件、纳米团簇的光学和磁学性质等领域的研究。自2008年，已获得由世界上最大的硬盘公司美国希捷技术超过100万美元的赞助，并获得了新加坡科学技术部、教育部和国家研究基金会超过1500万新加坡元的资助。陈教授是新加坡自旋电子学联盟五个管理委员会委员之一。目前已经在Nat. Nanotech., Nat. Commun., Sci. Adv., Phys. Rev. Lett., Adv. Mater., Nano Lett.等高水平学术期刊上发表SCI收录论文260余篇，论文被引次数超过6600次，H指数为40，出版3本科技书籍，申请国际发明专利10余项，在国际会议上做邀请报告30余次。此外他还担任ACS Appl. Electron. Mater., Sci. Rep., Micro-Nano Lett., Spin等国际知名期刊编委，2004 年获得陈嘉庚青年发明奖；2005 年获得国家数据存储研究院杰出奖。