近日，我校许小红教授和薛武红教授合作，报道了二维铁磁Cr₅Te₈材料的亚毫米级可控制备，并发现该材料具有畴壁成核控制的磁化反转过程和非单调磁场相关的磁电阻，研究成果以“Controlled Growth of Submillimeter-Scale Cr₅Te₈ Nanosheets and the Domain-wall Nucleation Governed Magnetization Reversal Process”为题，在国际顶级期刊Nano Letters（SCI一区TOP，影响因子：10.8）上发表。博士研究生姜琦涛（导师：许小红教授）为论文的第一作者，中科院宁波材料所杨华礼副研究员为共同作者，该研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金等相关项目的支持。

以电子自旋为主要信息载体的自旋电子器件具有体积小、速度快、功耗低等优势，是后摩尔时代信息存储器件的有力竞争者。特别是，二维磁性材料的发现为构建新功能的磁电子器件提供了材料基础。二维磁性材料在原子层厚度依然保持长程磁序，具有表面无悬挂键、弱层间耦合、可进行“原子乐高”功能异质集成、 易于调控等优势，在高密度磁信息存储和自旋电子学领域具有重要应用前景，成为国际上的前沿热点。然而，二维磁性材料目前存在居里温度较低、环境不稳定、难以大尺寸可控制备等困难，极大地限制了其应用和发展。因此，探索稳定性更好的新型二维磁性材料，并用简便、经济可控的方法实现其大尺寸超薄制备，对于推动二维磁性材料的应用具有重要的意义与价值。此外，磁性二维材料的磁畴及其演变能够为相关器件的性能优化提供重要参考。

基于此，该团队开发了一种简单、经济、可扩展、氢修饰的化学气相沉积方法，可控合成了亚毫米级超薄高质量Cr₅Te₈磁性纳米片，值得一提的是，纳米片横向尺寸最大可达450 μm、空气稳定性好且居里温度较高。此外，通过对Cr₅Te₈纳米片的磁畴演化的直接观察，揭示了畴壁成核在控制磁化逆转过程中的主导作用。有趣的是，Cr₅Te₈纳米片表现出非单调磁电阻特性。该工作在CVD法制备大尺寸二维磁性材料领域实现了重要突破，为在二维尺度理解和调控磁相关性质提供了理想平台。有望推动二维磁性材料在自旋电子学器件中的应用和发展。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c04200

亚毫米级二维Cr₅Te₈及其磁畴演化和非单调磁电阻