报告题目：Status and Outlook of STT-MRAM Technology  

报告地点：实验楼四层报告厅  

报告时间：2017年1月13日09:00  

报告人简介：  

   闵泰，西安交通大学材料学院教授。1980年至1993年在中国科学技术大学物理系获学士学位，在美国明尼苏达大学电机系获硕士与博士学位。1993年至2015年期间，积累22年国际一流大型企业工作经历，任资深总监。首次成功研发出国际领先新型产品(IBM外业界第一款AMR磁记录头产品，世界第一款自旋阀磁记录头产品, STT-MRAM专家)，积累了大量管理经验；成功组建并领导了IMEC业界领先的sub-20nm垂直式STT-MRAM及sub-5nm Spintronics技术的研发(第一次在IMEC300mm中试线做出存储集成芯片, 2014年发表了IMEC第一篇有关STT-MRAM IEDM 论文)；领导了TDK业界领先新型STT-MRAM产品的研发和产品化；主管MRAM产品的设计、模拟、测试、封装、生产、质检、客户支持等部门和项目；组建，招聘，培训MRAM产品设计、测试、质检和客户支持等部门；拥有66项美国颁发的专利，奠定了公司的MRAM，磁记录产品基础。