以石墨烯为首的二维材料向人们展现出丰富多彩的奇特物理化学性质，吸引了研究者的极大关注。由不同性质的二维材料组成的异质结，更是具有更大范围的性能调控和器件应用空间，具有更大的潜在应用价值。

张均锋副教授与合作者经过对二维金属/半导体(半导体/半导体)异质结，考察了其和三维材料的本质区别，使用经典静电学方法，指出由于大量真空层的存在，其肖特基势垒随着远离界面变化，最终趋近Schottky-Mott极限(Anderson极限)的新奇物理图像，并用第一性原理方法分别以石墨烯/六角氮化硼和二硫化钼/二硫化钨为例予以证明。这为预言器件性质奠定了相关工作为二维异质材料的进一步研究和应用提供了切实的理论依据。

论文以《Band alignment of two-dimensional lateral heterostructures》为题发表于2D Materials期刊。

2D Materials 4 (2017) 015038

全文链接：http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/aa50cc