[2]

授权号：ZL 201910278061.7

申请人：周国伟，许小红，姬慧慧，张军

专利名称： 具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法

授权日：2022-08-02

[3]

授权号：ZL 201811025612. 0

发明人：许小红，秦秀芳，睢彩云

专利名称： 一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法

授权日：2020-10-09

[4]

授权号：ZL 201811120388. 3

发明人：王芳，徐鲜，许小红

专利名称： 一种钴基软磁合金的固相反应合成方法

授权日：2020-07-17

[5]

授权号：ZL 201810659312 .1

发明人：王芳，许小红，郭帅，罗开玉，吴刘军

专利名称： 一种烧结钕铁硼磁体表层磁性梯度纳米结构的制备方法

授权日：2020-02-28

[6]

授权号：ZL 201810812703. 2

发明人：许小红，杨欢，王芳

专利名称： 一种硫属化合物纳米片及其制备方法

授权日：2020-01-07

[7]

授权号：ZL 201710724655.7

发明人：王芳，周洁，许小红，秦秀芳，于利芳

专利名称：一种MnTe纳米线的制备方法

授权日：2020-01-07

[8]

授权号：ZL 201710725406.X

发明人：王芳，周洁，许小红，于利芳，张燕庆

专利名称：一种硫属化合物异质结磁性纳米材料及其制备方法

授权日：2020-01-07    

[9]

授权号：ZL 201810111023.8

发明人：时倩，林汉轩，郁扬，江凤仙，王文彬，殷立峰，沈健

专利名称： 一种集多值存储和逻辑运算与一体的器件单元及操作方法

授权日：2020-03-20

[10]

授权号：ZL 201710509414.0

发明人：许小红，王兰芳，李小丽，薛武红，秦秀芳

专利名称： 一种低能耗、多功能的多层纳米线阻变存储器

授权日：2019-11-26

[11]

授权号：ZL 201810167506. X

发明人：江凤仙，纪丽飞，曾泽亭，周国伟，许小红

专利名称： 一种V掺杂的TiO2薄膜及其制备方法

授权日：2019-11-15

[12]

授权号：ZL 201810962030.9

发明人：秦秀芳，睢彩云，许小红，杨明

专利名称：一种制备低温相锰铋合金的电镀液及其电沉积方法

授权日：2019-11-26

[13]

授权号：ZL 201810520763.7

发明人：罗开玉，王长雨，王芳，尹叶芳，许小红，鲁金忠

专利名称：一种提高烧结钕铁硼磁体耐蚀性能的激光冲击强化方法

授权日：2019-11-26

[14]

授权号：ZL 201610920842.8

发明人：江凤仙，仝瑞雪，许小红，纪丽飞，周国伟

专利名称：一种非补偿n-p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法

授权日：2018-10-30

[15]

授权号：ZL 201510818327.4

发明人：许小红，陈丹，江凤仙，马文睿

专利名称：高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法

授权日：2018-05-18   

[16]

授权号：ZL 201610048446.0             

发明人：王芳, 张利国,  郝爱琴, 王朱良, 许小红, 班培培

专利名称：一种可见光响应的磁性钽酸钠及其制备方法

授权日：2018-01-09

[17]

授权号：ZL 201510602812.8       

发明人：李小丽，贾娟，李洁，李燕春，许小红

专利名称：一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法

授权日：2017-10-31  

[18]

授权号：ZL 20150309893.2

发明人：全志勇，宋智林，许小红，刘霞，武彪，张丽

专利名称：L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法

授权日：2017-08-08     

[19]

授权号：ZL 201510019336. 7

发明人：王芳，李峰，许小红，王朱良，张丽芳

专利名称：一种硫自掺杂型二氧化钛光催化剂的制备方法

授权日：2016-08-24      

[20]

授权号：ZL 201310081598. 7          

发明人：秦秀芳，张锦琼，邓晨华，孟晓娟，丁古巧，许小红

专利名称：一种阳极氧化铝膜及其制备方法

授权日：2016-03-16   

[21]

授权号：ZL 201010568374. 5          

发明人：王芳，张静，王振峰，张瑞强，张军，许小红

专利名称：一种梯度复合磁记录介质及其制备方法

授权日：2012-07-18  

[22]

授权号：ZL 200820013708.   0           

发明人：许小红，江凤仙，扈俊清，李小丽，田龙，王芳，黄晓霞

专利名称：一种真空退火炉

授权日：2009-03-25   

[23]

申请号：202010108592.4

申请人：全志勇，王美美，张笑，肖政昱，张军，吕宝华，许小红

申请项目：一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法

公开日：2020-02-21

[24]

《自旋电子学导论》（第十八章），许小红编，科学出版社，2014年。

[25]

《压电薄膜的制备、结构与应用》，许小红等，科学出版社，2002年。

[26]

《Photo-Electroactive Nonvolatile Memories for Data Storage and Neuromorphic Computing》 (Chapter 10：Organic and hybrid photoelectroactive polymer for memories and neuromorphic computing），薛武红等，Woodhead Publishing，2020年。