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授权号:ZL 201811025612. 0

发明人:许小红,秦秀芳,睢彩云

专利名称: 一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法

授权日:2020-10-09

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授权号:ZL 201811120388. 3

发明人:王芳,徐鲜,许小红

专利名称: 一种钴基软磁合金的固相反应合成方法

授权日:2020-07-17

[3]

授权号:ZL 201810659312 .1

发明人:王芳,许小红,郭帅,罗开玉,吴刘军

专利名称: 一种烧结钕铁硼磁体表层磁性梯度纳米结构的制备方法

授权日:2020-02-28

[4]

授权号:ZL 201810812703. 2

发明人:许小红,杨欢,王芳

专利名称: 一种硫属化合物纳米片及其制备方法

授权日:2020-01-07

[5]

授权号:ZL 201710724655.7

发明人:王芳,周洁,许小红,秦秀芳,于利芳

专利名称:一种MnTe纳米线的制备方法

授权日:2020-01-07

[6]

授权号:ZL 201710725406.X

发明人:王芳,周洁,许小红,于利芳,张燕庆

专利名称:一种硫属化合物异质结磁性纳米材料及其制备方法

授权日:2020-01-07    

[7]

授权号:ZL 201810111023.8

发明人:时倩,林汉轩,郁扬,江凤仙,王文彬,殷立峰,沈健

专利名称: 一种集多值存储和逻辑运算与一体的器件单元及操作方法

授权日:2020-03-20

[8]

授权号:ZL 201710509414.0

发明人:许小红,王兰芳,李小丽,薛武红,秦秀芳

专利名称: 一种低能耗、多功能的多层纳米线阻变存储器

授权日:2019-11-26

[9]

授权号:ZL 201810167506. X

发明人:江凤仙,纪丽飞,曾泽亭,周国伟,许小红

专利名称: 一种V掺杂的TiO2薄膜及其制备方法

授权日:2019-11-15

[10]

授权号:ZL 201810962030.9

发明人:秦秀芳,睢彩云,许小红,杨明

专利名称:一种制备低温相锰铋合金的电镀液及其电沉积方法

授权日:2019-09-20

[11]

授权号:ZL 201810520763.7

发明人:罗开玉,王长雨,王芳,尹叶芳,许小红,鲁金忠

专利名称:一种提高烧结钕铁硼磁体耐蚀性能的激光冲击强化方法

授权日:2019-11-26

[12]

授权号:ZL 201610920842.8

发明人:江凤仙,仝瑞雪,许小红,纪丽飞,周国伟

专利名称:一种非补偿n-p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法

授权日:2018-10-30

[13]

授权号:ZL 201510818327.4

发明人:许小红,陈丹,江凤仙,马文睿

专利名称:高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法

授权日:2018-05-18   

[14]

授权号:ZL 201610048446.0             

发明人:王芳, 张利国郝爱琴, 王朱良, 许小红, 班培培

专利名称:一种可见光响应的磁性钽酸钠及其制备方法

授权日:2018-01-09

[15]

授权号:ZL 201510602812.8       

发明人:李小丽,贾娟,李洁,李燕春,许小红

专利名称:一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法

授权日:2017-10-31  

[16]

授权号:ZL 20150309893.2

发明人:全志勇,宋智林,许小红,刘霞,武彪,张丽

专利名称:L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法

授权日:2017-08-08     

[17]

授权号:ZL 201510019336. 7

发明人:王芳,李峰,许小红,王朱良,张丽芳

专利名称:一种硫自掺杂型二氧化钛光催化剂的制备方法

授权日:2016-08-24      

[18]

授权号:ZL 201310081598. 7          

发明人:秦秀芳,张锦琼,邓晨华,孟晓娟,丁古巧,许小红

专利名称:一种阳极氧化铝膜及其制备方法

授权日:2016-03-16   

[19]

授权号:ZL 201010568374. 5          

发明人:王芳,张静,王振峰,张瑞强,张军,许小红

专利名称:一种梯度复合磁记录介质及其制备方法

授权日:2012-07-18  

[20]

授权号:ZL 200820013708.   0           

发明人:许小红,江凤仙,扈俊清,李小丽,田龙,王芳,黄晓霞

专利名称:一种真空退火炉

授权日:2009-03-25   

[21]

申请号:202010108592.4

申请人:全志勇,王美美,张笑,肖政昱,张军,吕宝华,许小红

申请项目: 一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法

公开日:2020-02-21

[22]

申请号:201910278061.7

申请人:周国伟,许小红,姬慧慧,张军

申请项目:具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法

公开日:2019-07-23

[23]

《自旋电子学导论》(第十八章),许小红编,科学出版社,2014年。

[24]

《压电薄膜的制备、结构与应用》,许小红等,科学出版社,2002年。

 

[25]

Photo-Electroactive Nonvolatile Memories for Data Storage and Neuromorphic

Computing (Chapter 10Organic and hybrid photoelectroactive polymer for memories and neuromorphic computing,薛武红等,Woodhead Publishing2020年。