2017年6月8日上午10:30，中科院苏州纳米所纳米真空互联实验站副总指挥丁孙安研究员应邀来我校莳英讲堂进行学术交流活动。丁孙安研究员在我校实验楼四层学术报告厅做了题为《纳米材料研究与器件开发的新挑战及其技术变革—Nano-X》的报告。报告由材料科学研究院副院长王芳副教授主持，材料科学研究院、化材学院的师生们聆听了此次学术报告。

丁孙安研究员首先介绍了在国内建设纳米科技真空互联综合实验装置的必要性及紧迫性。该装置是世界首个集材料生长、器件加工、测试分析为一体的纳米领域大科学装置，是未来纳米材料研究与器件开发的先进开放平台。纳米科技真空互联综合实验装置可有效地探索材料、器件的各种物性，为开发新工艺和新器件提供支持，大大简化从基础研究到应用开发的过程，发挥材料制备、测试分析与微纳加工工艺等方面的协同效应；同时突破经典物理问题研究的传统模式，解决未来光电子等新兴产业中的关键问题，突破共性关键技术与工程化、产业化瓶颈，提高创新发展能力和国际竞争力。随后丁研究员详细介绍了该装置中连接的各种设备，希望我校相关专业师生也能参与进来，利用纳米科技真空互联综合实验装置做出好成果。

王芳副院长主持报告会

丁孙安研究员作报告

丁孙安，中科院苏州纳米所研究员，博士生导师。1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位；1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作，又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作；2000年后转入工业界，先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作；2014年加入中科院苏州纳米所，担任纳米真空互联实验站副总指挥。丁孙安研究员获得苏州工业园区高科技领军人才（2014年），江苏省双创人才（2015年）以及江苏省双创团队领军人才（2016年）等荣誉称号。丁孙安研究员主要研究领域有半导体薄膜材料与器件物理、材料表征与测试、表面与界面分析、真空技术与应用等。目前，所负责的真空互联试验站是世界上规模最大的集材料生长、测试分析、器件工艺于一体的综合科学实验与技术开发的开放平台。他首次用实验方法测量和验证了氮化镓单晶薄膜的能带结构和异质结能带位错，以及纳米硅量子点的量子局限效应。在国际刊物上发表相关学术论文30多篇。