2017年6月20日下午15:30，新加坡国立大学材料科学工程系陈景升教授来我校莳英讲堂进行学术交流活动。陈教授在我校实验楼四层学术报告厅做了题为《Perovskite oxide films for application of non-volatile memory application》的精彩报告。报告会由材料科学研究院副院长王芳副教授主持，材料科学研究院、化材学院的师生们聆听了此次学术报告。

陈景升教授首先介绍了目前备受关注的磁信息存储材料及面临的主要问题，详细讲解了未来存储材料的前景。从传统的磁记录材料到自旋转矩磁随机存储器(STT-MRAM)，再到国际上最前沿的非易失性铁电随机存储器(FRAM)和自旋轨道磁随机存储器(SOT-MRAM)，这些新型器件都可大幅加快存储速度、降低能量损耗，具有广阔的应用前景。随后，陈教授介绍了他们课题组的铁电材料钛酸钡(BaTiO3)，通过巧妙的终端设计实现了超薄层中仍然保持铁电性质的特性，将该材料与铁磁性La0.67Sr0.33MnO3复合成异质结构，通过高精尖的球差分辨透射电子显微镜和同步辐射技术等手段，从原子尺度分析了不同终端对磁电耦合作用的影响，而且给出了界面处清晰的物理图像，此种材料还可以拓展到人工智能领域。随后介绍了利用不同终端BaTiO3对CoFeB磁性进行调节，在面内方向实现了磁各向异性的调控。最后，讲述了利用最新搭建的铁磁共振仪在铁磁性La0.67Sr0.33MnO3材料中实现了目前钙钛矿氧化物中最低阻尼系数的实验测试，为低功耗器件的研制打下基础。陈教授将这些高深的科研成果，用通俗的语言给大家进行了讲解，形象剖析了各种深奥的物理机制，赢得现场师生的阵阵掌声。报告会结束后，陈教授耐心解答了师生们的一些困惑，并与有关老师和研究生进行了更深入和细致的交流。

王芳副院长主持报告会

陈景升教授作报告

陈教授主要从事纳米磁性材料的信息存储材料与器件、电子强关联氧化物多铁性材料、自旋电子学、纳米团簇的光学和磁学性质等领域的研究。自2008年，已获得由世界上最大的硬盘公司美国希捷技术超过100万美元的赞助，并获得了新加坡科学技术部、教育部和国家研究基金会超过1200万新加坡元的资助。陈教授目前正在领导一项900万新加坡元的项目，开发低功耗信息存储器。陈教授是新加坡SG-SPIN联盟管理委员会成员。目前已发表SCI收录论文200余篇，论文被引次数近5000次，出版3本科技书籍，申请国际发明专利10项，多次在国际会议上做邀请报告，H指数为33。2004 年获得陈嘉庚青年发明奖；2005 年获得国家数据存储研究院杰出奖。