9月12日和15日上午，英国谢菲尔德大学物理系Gillian A. Gehring教授应邀来我校莳英讲堂进行学术交流活动。Gillian A. Gehring教授在实验楼三层学术沙龙分别作了题为《Interesting properties of mixed molybdenum oxides》和《Effects on ZnO:Co films of different PLD targets》的报告，材料科学研究院的师生们聆听了两次报告。

Gillian A. Gehring教授的两场报告均围绕过渡金属氧化物展开。第一场报告以具有深电子态、大功函数、合适的载流子浓度，以及在可见光具有高透明度的MoO3材料为对象展开，从实验和理论角度阐述了具有不同Mo价态的MoOx薄膜的电子结构，如局域态、非局域态的存在及其在费米面附近的能量分布、不同Mo离子的占据情况等，这些都将影响其电子注入能力，从而可以为MoOx在有机太阳能电池和有机发光二极管等领域中更好地应用提供参考；第二场报告以传统的ZnO半导体材料为研究对象，比较了采用金属Co及各种Co氧化物分别作为Co源制备的Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁性差异，发现以金属Co作为掺杂源可以实现大的室温铁磁性，这源于锌空位部分补偿了薄膜中的n型缺陷。与此同时，Gehring教授还发现和以往追求本征稀磁半导体不同，第二相Co颗粒的出现有助于材料磁性能的改善，这些研究可以为未来以稀磁半导体为代表的自旋电子学领域的研究提供新的思路。两场报告让大家在了解和理解具有丰富特性的过渡金属氧化物材料的同时，也领略了一个科学家深厚的学术功底和执着的科学精神。

访问期间，Gehring教授还与我院部分师生就他们所研究的具体课题开展了详细讨论。总之，Gehring教授的报告以及此次来访的交流讨论将为我院乃至我校相关学科的研究起到积极的推动作用。

Gillian A. Gehring教授作报告

报告会现场

Gillian A. Gehring教授和师生讨论