4月1日上午，上海交通大学化学化工学院刘钢研究员应邀来我校开展学术交流，在实验楼725会议室做了题为《阻变存储器与磁电调控》的学术报告。报告由山西师范大学副校长，材料科学研究院院长许小红教授主持，材料科学研究院全体师生聆听了报告会。

报告会上，刘钢研究员首先介绍了基于硅基晶体管集成电路所面临的摩尔定律极限和冯·诺依曼通讯瓶颈，这使芯片集成密度和运算性能的提升难以通过器件尺寸微缩的方式来实现。基于这一挑战，他们设计了一种新型的阻变存储器件，利用磁性金属和氧化物作为电极和介质构建阻变存储器，通过电场驱动金属离子/氧空位迁移和氧化还原作用实现了薄膜磁畴和磁电阻特性的可逆调控，为发展非冯架构的磁电多态存储器和磁电存算一体器件提供了新的思路。该器件不仅具有结构简单、操作速度快、微缩性好、功耗低等优势，而且可与传统CMOS工艺相兼容，在下一代信息存储和神经形态运算领域具有广阔的应用前景。

刘钢研究员的报告让在场师生对阻变存储器件的设计和未来应用有了全新的认识，为大家的研究工作带来了有益启发和指导。报告结束后，刘钢研究员耐心解答了师生们的有关学术问题，并与部分师生就合作课题进行了深入交流。

刘钢研究员做学术报告