周轩弛，男，博士，讲师，主要从事关联电子材料、物理与器件及信息存储材料与器件的研究工作，担任本科生专业主干课《材料科学基础》和博士（硕士）研究生专业基础课《材料艺术》的教学工作。近五年，以第一作者/通讯作者/独立作者在Adv. Funct. Mater. (2)，Adv. Sci.，J. Phys. Chem. Lett.，Appl. Phys. Lett.，J. Mater. Chem. C，J. Phys. Chem. C，Phys. Chem. Chem. Phys.等国际知名学术期刊上发表SCI论文，所发表论文多次被期刊编辑选为Featured Articles，授权国家发明专利3项。作为项目负责人主持国家自然科学基金等国家和省部级科研项目4项，参与科技部国家重点研发计划项目及课题、国家自然科学基金委重点/重大仪器研制等多项国家级重大科研项目，多次受邀在中国材料大会等国内外重要学术会议上做邀请报告，担任多个国际主流学术期刊审稿人及Advanced Science等知名期刊仲裁审稿人。
邮箱：xuanchizhou@sxnu.edu.cn
办公地点：北区2号楼C310室
教育及科研经历：
2023年9月-至今山西师范大学，化学与材料科学学院&材料科学研究院，讲师；
2019年9月-2023年9月 北京科技大学，材料科学与工程，博士（硕博连读），师从姜勇教授；
2015年9月-2019年6月 湘潭大学，材料科学与工程，学士；
主持科研项目：
1. 国家自然科学基金项目，项目负责人，在研，主持；
2. 山西省基础研究计划项目，项目负责人，在研，主持；
3. 天津市重点实验室开放课题自由探索类重点项目，项目负责人，在研，主持；
4. 山西省高等学校科技创新项目（省立省资助），项目负责人，在研，主持；
5. 山西省优秀博士科研启动基金项目，项目负责人，主持；
6. 山西师范大学博士科研启动基金项目，项目负责人，主持
研究方向：
1.强关联氧化物磁电输运特性多场调控与新奇物性探索；
2.强关联电子相变氧化物材料与敏感电阻器件；
3.氧化物自旋电子学材料与器件；
主要科研成果：
1. 代表性论著：
[1] Zhou, X.; Li, H.; Jiao, Y.; Zhou, G.; Ji, H.; Jiang, Y.; Xu, X., Hydrogen-Associated Multiple Electronic Phase Transitions for d-Orbital Transitional Metal Oxides: Progress, Application, and Beyond. Adv. Funct. Mater.，2024, 34, 2316536. （第一作者兼共同通讯作者）
[2] Zhou, X.; Mao, W.; Cui, Y.; Zhang, H.; Liu, Q.; Nie, K.; Xu, X.; Jiang, Y.; Chen, N.; Chen, J., Multiple Electronic Phase Transitions of NiO via Manipulating the NiO6 Octahedron and Valence Control. Adv. Funct. Mater.，2023, 33 (36), 2303416. （第一作者）
[3] Zhou, X.; Jiao, Y.; Lu, W.; Guo, J.; Yao, X.; Ji, J.; Zhou, G.; Ji, H.; Yuan, Z.; Xu, X., Hydrogen-Associated Filling-Controlled Mottronics Within Thermodynamically Metastable Vanadium Dioxide. Adv. Sci.，2025 , 2414991. （第一作者兼共同通讯作者）
[4] Zhou, X.; Li, H.; Meng, F.; Mao, W.; Wang, J.; Jiang, Y.; Fukutani, K.; Wilde, M.; Fugetsu, B.; Sakata, I.; Chen, N.; Chen, J., Revealing the Role of Hydrogen in Electron-Doping Mottronics for Strongly Correlated Vanadium Dioxide. J. Phys. Chem. Lett.，2022, 13 (34), 8078-8085. （第一作者）
[5] Zhou, X.; Shang, Y.; Gu, Z.; Jiang, G.; Ozawa, T.; Mao, W.; Fukutani, K.; Matsuzaki, H.; Jiang, Y.; Chen, N.; Chen, J., Revealing the role of high-valence elementary substitution in the hydrogen-induced Mottronic transitions of vanadium dioxide.，Appl. Phys. Lett.，2024, 124 (8), 082103. （第一作者）
[6] Zhou, X.; Jiao, Y.; Li, H., Manipulating the metal-insulator transitions and thermoelectric bi-functionality for correlated vanadium dioxide pellets. Appl. Phys. Lett.，2024, 125 (3), 032103. （第一作者兼独立通讯作者）
[7] Zhou, X., Recent advances in the multi-field manipulations on the metal-insulator transition for correlated vanadium oxides enabling interdisciplinary applications，J. Mater. Chem. C，2025, 13, 3123-3144. （独立作者）
[8] Zhou, X.; Cui, Y.; Shang, Y.; Li, H.; Wang, J.; Meng, Y.; Xu, X.; Jiang, Y.; Chen, N.; Chen, J., Non-equilibrium Spark Plasma Reactive Doping Enables Highly Adjustable Metal-to-Insulator Transitions and Improved Mechanical Stability for VO2. J. Phys. Chem. C，2023, 127 (5), 2639-2647. （第一作者）
[9] Zhou, X.; Li, H.; Shang, Y.; Meng, F.; Li, Z.; Meng, K.; Wu, Y.; Xu, X.; Jiang, Y.; Chen, N.; Chen, J., Manipulating the metal-to-insulator transitions of VO2 by combining compositing and doping strategies. Phys. Chem. Chem. Phys.，2023, 25 (33), 21908-21915. （第一作者）(Featured article)
[10] Zhou, X.; Wu, Y.; Yan, F.; Zhang, T.; Ke, X.; Meng, K.; Xu, X.; Li, Z.; Miao, J.; Chen, J.; Jiang, Y., Revealing the high sensitivity in the metal to insulator transition properties of the pulsed laser deposited VO2 thin films. Ceram. Int.，2021, 47 (18), 25574-25579. （第一作者）
[11] Zhou, X.; Li, H., Research on the electronic phase transitions in strongly correlated oxides and multi-field regulation. Acta Phys. Sin.，2024, 73, 11, 117102. （第一作者兼独立通讯作者）(Editor’s pick)
[12] Zhou, X.; Jiao, Y., Controllable growth and electronic phase transitions for metastable perovskite rare-earth nickelate films. Acta Phys. Sin.，2024, 73, 19, 197102.（第一作者兼独立通讯作者）(Editor’s pick)
2. 发明专利：
[1] 陈吉堃, 周轩弛, 张秀兰, 姜勇; 一种高强度高稳定性氧化钒电子相变复合陶瓷制备方法, 发明专利, 已授权, ZL202210082967.3.
[2] 陈吉堃，周轩弛，姜勇；一种有机无机复合型钒氧化合物电子相变材料的制备方法, 发明专利, 已授权, ZL202210599718.1.
招生信息：每年计划招收硕士研究生1-2名。